微影
以三選一題型確認解析度公式（k1·λ/NA）、EUV的波長、正型光阻等微影的基本觀念。
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微影的重點
微影是以光將光罩（倍縮光罩）上的電路圖案轉印到晶圓上光阻的製程。它是決定微縮極限的關鍵製程，曝光機更是半導體製造設備中特別尖端的設備。
縮短曝光波長λ、增大透鏡的數值孔徑NA，解析度就會提升。ArF準分子雷射（193 nm）的浸潤式曝光，以及波長13.5 nm的EUV曝光，被用於製造先進產品。
以三選一題型確認解析度公式（k1·λ/NA）、EUV的波長、正型光阻等微影的基本觀念。
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微影是以光將光罩（倍縮光罩）上的電路圖案轉印到晶圓上光阻的製程。它是決定微縮極限的關鍵製程，曝光機更是半導體製造設備中特別尖端的設備。
縮短曝光波長λ、增大透鏡的數值孔徑NA，解析度就會提升。ArF準分子雷射（193 nm）的浸潤式曝光，以及波長13.5 nm的EUV曝光，被用於製造先進產品。