半導體計算工具
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每片晶圓晶粒數與良率計算器由晶圓直徑、晶粒尺寸與缺陷密度計算晶粒數、良率與每顆良品成本微影解析度與焦深計算器由波長、NA 與 k1 求解析度（半間距）、焦深與間距分割數建立時間與保持時間時序計算器正反器到正反器路徑的建立時間與保持時間餘裕及最高時脈頻率MOSFET I-V 特性（ID–VDS）改變 Vth、W/L 與 λ，查看 ID–VDS 曲線與工作點：操作區、ID、gm 與 ro測驗題組產生器選擇主題與題數，即可取得可分享的測驗連結，適合課堂與教育訓練使用接面溫度與熱阻計算器由功耗與熱阻計算接面溫度、與 Tj(max) 的裕度及最大功率記憶體頻寬計算器由傳輸速率與匯流排寬度計算 DDR、LPDDR、GDDR 與 HBM 的峰值頻寬及有效頻寬ADC SNR 與有效位元數（ENOB）由解析度、時脈抖動與過取樣計算 ADC 的 SNR 與有效位元數阿姆達爾定律與平行加速比依阿姆達爾定律與古斯塔夫森定律，由平行比例與處理器數計算加速比與平行效率快取位址分割與平均記憶體存取時間由快取容量、快取行大小與相聯度計算標籤、索引、偏移位元數及平均記憶體存取時間CMOS 功耗（動態與靜態）由活動因子、電容、電壓、頻率與漏電流計算動態與靜態功耗，以及 DVFS 後的功耗PN 接面的內建電位與空乏層寬度由摻雜濃度與逆向偏壓計算 PN 接面的內建電位、空乏層寬度、峰值電場與接面電容熱氧化層厚度（Deal-Grove 模型）以 Deal-Grove 模型由溫度、時間、乾式或濕式氣氛與晶面方位計算矽氧化層厚度與矽消耗量