微影

在EUV光罩中,吸收體圖案的厚度相對於波長已不可忽略,斜向入射的光會形成陰影等而影響影像,這種現象稱為什麼?

  1. A光暈(blooming)
  2. B光罩3D效應
  3. C負載效應(loading effect)
查看答案與解析

正確答案:B. 光罩3D效應

EUV光罩是反射式,光以傾斜約6°的角度入射。吸收體的厚度為50~70 nm,比波長13.5 nm更厚,因此吸收體的側面會形成陰影或使相位改變,造成尺寸與位置依圖案方向而偏移,最佳對焦位置也會隨圖案而異(光罩3D效應)。目前正開發吸收率高而可做得更薄的吸收體材料、相位移型的EUV光罩,並以OPC進行修正。

  • A. 光暈(blooming)是影像感測器中電荷溢出的現象。
  • B. 正確。是光罩立體結構所造成的影響。
  • C. 負載效應是處理速度隨加工面積而改變的現象。
練習這個領域 前往領域頁面

微影的其他題目

  1. 在設計好的佈局中,經曝光與加工的模擬後,被預測圖案容易相連或斷開的脆弱位置稱為什麼?
  2. 在EUV曝光中,光阻所釋出的氣體(逸氣,outgas)一直被視為問題,其主要理由為下列何者?
  3. 根據解析度公式 R = k1 × λ / NA,下列何者是提升解析度(縮小R)的正確方法?
  4. EUV曝光所使用的光,其波長為下列何者?
  5. 關於正型光阻的說明,下列何者正確?

這個領域的比較