微影

EUV曝光中成為問題的機率性起伏(隨機效應,stochastics)的主要原因,下列何者正確?

  1. A因為EUV光的波長比ArF長
  2. B因為EUV曝光使用透鏡
  3. C因為EUV光每個光子的能量大,即使曝光量相同,光子數也較少
查看答案與解析

正確答案:C. 因為EUV光每個光子的能量大,即使曝光量相同,光子數也較少

每個光子的能量與波長成反比,EUV(13.5 nm,約92 eV)約為ArF(193 nm,約6.4 eV)的14倍。若曝光量相同,照射到的光子數只有1/14,例如進入20 nm見方範圍內的光子只有數百至數千個左右,其數量在統計上會有約√N的變異。這就是隨機效應,會造成圖案缺損、橋接(相連)、LER,以及小孔無法開出等缺陷。增加曝光量可以改善,但產能會下降。

練習這個領域 前往領域頁面

微影的其他題目

  1. 在EUV光罩中,埋在多層膜內部的缺陷之所以成為問題,下列何者為正確的理由?
  2. 即使改變曝光量與對焦,圖案尺寸仍能維持在容許範圍內的條件範圍,稱為什麼?
  3. 在LELE(微影-蝕刻-微影-蝕刻)方式的雙重圖案化中,特別被嚴格要求的是下列何者?
  4. 水銀燈的i線,其波長為下列何者?
  5. 以傾斜方向照明光罩,藉此提高細微圖案解析度的技術是下列何者?

這個領域的比較