微影
作為次世代EUV曝光機所開發的「High-NA EUV」，其特徵為下列何者？
- A將投影光學系統的數值孔徑由0.33加大到0.55，提高解析度
- B將曝光波長拉長到193 nm
- C不使用光罩進行曝光
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正確答案：A. 將投影光學系統的數值孔徑由0.33加大到0.55，提高解析度
傳統EUV曝光機的數值孔徑為0.33，High-NA EUV則加大到0.55，使解析度提高約1.7倍，一次曝光就能形成20 nm級前段的間距。波長同樣是13.5 nm。另一方面，焦深會變淺，且因為各方向的縮小倍率不同，可曝光的區域（曝光區）縮減為傳統的一半，也有這類限制。由ASML開發，據稱每台約500億日圓。