什麼是光阻
受光照射後在顯影液中的溶解性會改變的感光材料。正型光阻的曝光部分會溶解，負型光阻的曝光部分則會留下。
日文名稱: フォトレジスト
「光阻」出現在12領域的57道練習題中（微影, 蝕刻, 製程材料（氣體與藥液）等）。
這個名詞所屬的領域: 微影
練習光阻的題目
以光阻作為離子佈植的遮罩時，應注意的事項為下列何者？
- A光阻越薄越好
- B光阻在佈植後也不必去除
- C為避免離子穿透光阻，相對於佈植能量必須有足夠的厚度
傾斜晶圓進行離子佈植時，因光阻等高圖案的陰影而產生無法被佈植的部分，這種現象稱為什麼？
- A通道效應
- B吸附（gettering）
- C陰影效應（shadowing）
解析中的「光阻」
光阻太薄時，高能量的離子會穿透，連被遮罩的部分也會被佈植。
以光阻作為離子佈植的遮罩時，應注意的事項為下列何者？為了因應通道效應或進行暈環佈植而將晶圓傾斜佈植時，離子無法到達高大的光阻或閘極所遮蔽的部分（陰影效應）。
傾斜晶圓進行離子佈植時，因光阻等高圖案的陰影而產生無法被佈植的部分，這種現象稱為什麼？受到高劑量佈植的光阻，表面的氫逸出而碳化，成為數十nm的堅硬外殼（crust）。
在去除經高劑量離子佈植的光阻時，容易成為問題的是下列何者？奈米壓印微影是將帶有凹凸圖案的模具（模板）壓在晶圓上液態的光阻上，以紫外線使其固化後再脫模，藉此複製形狀的技術。
將帶有微細圖案的模具（mold）壓在光阻上，藉此轉印圖案的技術稱為什麼？曝光的光穿過光阻後若在底層反射，會與入射光干涉，在光阻內形成駐波（縱向條紋）；光阻厚度的些微差異會使吸收的光量週期性改變而造成尺寸變異（擺動曲線，swing curve）；而在底層高低差處斜向反射的光則會使圖案變細。
塗在光阻下方的抗反射膜（BARC）的主要目的是下列何者？
出現「光阻」的題目（57題）
- 以光阻作為離子佈植的遮罩時，應注意的事項為下列何者？
- 傾斜晶圓進行離子佈植時，因光阻等高圖案的陰影而產生無法被佈植的部分，這種現象稱為什麼？
- 在去除經高劑量離子佈植的光阻時，容易成為問題的是下列何者？
- 將帶有微細圖案的模具（mold）壓在光阻上，藉此轉印圖案的技術稱為什麼？
- 塗在光阻下方的抗反射膜（BARC）的主要目的是下列何者？
- 下列何者是表示微細光阻圖案側面所產生之奈米等級凹凸的指標？
- 以有機溶劑對正型化學放大光阻進行顯影，溶解未曝光部分的方法是下列何者？
- 關於持續開發中、用於EUV曝光的含金屬氧化物光阻，其優點下列何者正確？
- 關於光阻（photoresist）的說明，下列何者正確？
- 在塗佈光阻之前，以HMDS等處理晶圓表面的主要目的是下列何者？
- 不使用光罩，而以電子束直接在晶圓上的光阻描繪圖案的方式，其特徵下列何者正確？
- 旋轉塗佈光阻後，以溶劑去除晶圓外圍隆起之光阻的處理稱為什麼？
- 在EUV曝光中，光阻所釋出的氣體（逸氣，outgas）一直被視為問題，其主要理由為下列何者？
- 使用氧電漿等將光阻灰化並去除的步驟稱為什麼？
- 在深孔加工等情況下，光阻單獨作為遮罩無法承受時，所使用的氮化膜或碳膜等遮罩稱為什麼？
出現這個名詞的比較
相關名詞
離子佈植 電漿 光罩(Reticle) 灰化 自由基 3D NAND 抗反射底層膜(BARC) 數值孔徑(NA) CMP(化學機械研磨) OPC(光學鄰近效應修正)