矽晶圓
以三選一題型確認以CZ法與FZ法製造單晶矽的方法、晶圓尺寸等矽晶圓的基本觀念。
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矽晶圓的重點
多數半導體元件都製作在由高純度單晶矽切成薄片而成的晶圓上。單晶的製造方法有：從坩堝中熔融的矽拉出晶體的CZ法，以及不使用坩堝的FZ法。
拉出的晶體經過切片、研磨、清洗後成為晶圓。晶圓尺寸持續增大，在先進的量產產線上，300 mm晶圓是主流。
矽晶圓的題目列表（50題）
- 製造LSI用單晶矽時，最廣泛使用的方法是哪一種？
- 目前在最先進的邏輯與記憶體量產線上，作為主流的晶圓直徑是哪一種？
- 以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶，下列哪一項特徵是正確的？
- 設置於矽晶圓外周的缺口(notch，小切口)，其主要作用是哪一項？
- 下列關於吸附(gettering)的說明，哪一項是正確的？
- 以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？
- 從單晶晶錠製作晶圓的製程順序，下列哪一項最為適當？
- 下列關於SOI晶圓代表性製造方法的敘述，哪一項是正確的？
- CMOS LSI用的矽晶圓，一般使用的晶面方位是哪一種？
- 關於矽晶圓的電阻率與所摻雜質濃度的關係，下列哪一項是正確的？
- 300 mm矽晶圓的標準厚度，最接近下列哪一項？
- 在CZ法中，控制晶體拉晶速度與晶體內溫度梯度之比(V/G)，主要目的是哪一項？
- 高純度多晶矽的代表性製造方法是哪一種？
- 為了確認設備狀態或量測膜厚等，與產品分開投入製程的晶圓稱為什麼？
- 矽晶圓需要高度平坦的主要原因，下列哪一項是正確的？
- 一次將矽晶錠切成多片晶圓時，一般使用的設備是哪一種？
- 將晶圓外周倒角(斜角加工，bevel)，主要目的是哪一項？
- 以CZ法製造p型矽晶體時，添加到熔液中的代表性雜質是哪一種？
- 以CZ法拉出摻雜的晶體時，晶體下部(拉晶後半段)的雜質濃度有越來越高的傾向。下列哪一項是正確的原因？
- 下列關於繼300 mm之後持續開發的450 mm晶圓的說明，哪一項是適當的？
- 利用CZ晶圓內部氧析出所形成的微小缺陷(BMD)，其目的下列哪一項是正確的？
- 對晶圓進行熱處理，使表面附近的氧向外擴散，在要製作元件的表面形成缺陷少的層。這一層稱為什麼？
- 刻在晶圓正面或背面的雷射標記(ID標記)，其目的是哪一項？
- 300 mm晶圓一般採用的拋光方式，下列哪一項是正確的？
- 將使用過的監控晶圓表面的膜等去除，重新拋光後可再次使用的晶圓，稱為什麼？
- 下列哪一項是用來以非接觸方式量測晶圓電阻率的方法？
- 對FZ矽照射中子，把部分矽轉變成磷而得到均勻n型的方法是哪一種？
- 在CZ法中，對坩堝施加磁場以抑制熔液對流，進而控制氧濃度等的方法是哪一種？
- 為了讓矽單晶晶錠的直徑保持一定，拉晶過程中主要調整的條件是哪一項？
- SiC晶圓製造困難又昂貴的原因之一，下列哪一項是正確的？
- 直徑300 mm的矽晶圓，以英吋表示時大約稱為幾英吋？
- 以CZ法等成長、尚未切成晶圓之前的圓柱狀單晶矽塊，稱為什麼？
- 矽晶圓之所以是圓形，其主要原因下列哪一項是正確的？
- 在全球矽晶圓市場擁有龐大市占率的日本企業組合，下列哪一項是正確的？
- 在CZ法拉晶開始時，緊接晶種之後先收細成長(頸縮，necking)，其目的是哪一項？
- 對大口徑晶圓進行高溫熱處理時會成為問題的「滑移(slip)」，其原因下列哪一項是正確的？
- 直徑300 mm、厚度775 µm的矽晶圓，每片的質量最接近下列哪一項？(矽的密度約為2.33 g/cm³)
- 太陽能電池用的多晶矽晶錠，一直以來用來低成本大量製造的方法是哪一種？
- 以CZ法拉完單晶時，把晶錠直徑逐漸縮小(收細尾部)再與熔液分離，其主要原因是哪一項？
- 以CZ法成長的矽晶體所含間隙氧的濃度，其參考值最接近下列哪一項？
- 矽晶圓的鏡面拋光(以CMP進行的精拋光)中，拋光液的磨粒一般使用哪一種？
- 高濃度摻入砷或銻的低電阻n⁺矽晶圓，其主要用途下列哪一項是正確的？
- 將CZ矽在450℃附近熱處理時，氧原子會聚集並作為施體作用，使晶圓的電阻率改變。這稱為什麼？
- 為了高靈敏度地分析晶圓表面的金屬汙染，以氫氟酸蒸氣溶解表面的氧化膜，並以液滴回收後送入分析設備的前處理方法是哪一種？
- 晶圓表面上，波長約數mm、高度約數十nm的非常和緩的凹凸，稱為什麼？
- 與FZ矽相比，CZ矽所含的間隙氧對晶圓機械強度的影響，下列哪一項是正確的？
- 在CZ晶體成長中微量添加氮(氮摻雜)，其已知的效果是哪一項？
- 為了能用光學顯微鏡觀察矽晶體中的差排或疊差等，選擇性地淺蝕缺陷部分的方法是哪一種？
- 在CZ晶體中，因晶體成長界面溫度波動等所產生的摻雜物或氧濃度的週期性條紋狀變化，稱為什麼？
- 矽單晶最容易破裂(最容易劈裂)的晶面是哪一個？