磊晶成長
以三選一題型確認磊晶成長的定義、同質／異質磊晶、晶格不匹配、MOCVD與MBE等。
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磊晶成長的重點
磊晶成長是在單晶基板上，使晶體方向與基板一致，成長出單晶薄膜的技術。由於能製作雜質濃度受到精密控制的層，被用於功率元件、雙載子元件與化合物半導體元件等。
成長與基板相同材料的稱為同質磊晶，成長不同材料的稱為異質磊晶；後者必須注意因晶格常數差異（晶格不匹配）所產生的缺陷。
以三選一題型確認磊晶成長的定義、同質／異質磊晶、晶格不匹配、MOCVD與MBE等。
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磊晶成長是在單晶基板上，使晶體方向與基板一致，成長出單晶薄膜的技術。由於能製作雜質濃度受到精密控制的層，被用於功率元件、雙載子元件與化合物半導體元件等。
成長與基板相同材料的稱為同質磊晶，成長不同材料的稱為異質磊晶；後者必須注意因晶格常數差異（晶格不匹配）所產生的缺陷。