포토리소그래피
해상도 공식(k1·λ/NA), EUV 파장, 포지티브 레지스트 등 리소그래피의 기초를 객관식 문제로 확인합니다.
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포토리소그래피: 핵심 정리
리소그래피는 마스크(레티클) 위의 회로 패턴을 빛을 이용해 웨이퍼 위의 포토레지스트에 전사하는 공정입니다. 미세화의 한계를 결정하는 핵심 공정이며, 노광 장비는 반도체 제조 장비 중 가장 첨단의 장비에 속합니다.
해상도는 파장 λ가 짧을수록, 개구수 NA가 클수록 향상됩니다. 최첨단 제품에는 ArF 엑시머 레이저(193 nm) 액침 리소그래피와 파장 13.5 nm의 EUV 리소그래피가 사용됩니다.