リソグラフィ

解像度の式(k1·λ/NA)、EUVの波長、ポジ型レジストなどリソグラフィの基本を3択問題で確認できます。

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リソグラフィの要点

リソグラフィは、マスク(レチクル)の回路パターンを光でウエハ上のフォトレジストに転写する工程です。微細化の限界を決める重要な工程で、露光装置は半導体製造装置のなかでも特に高度な装置です。

解像度は、露光波長λを短くし、レンズの開口数NAを大きくするほど向上します。ArFエキシマレーザー(193 nm)の液浸露光や、波長13.5 nmのEUV露光が先端品の製造に使われています。

リソグラフィの問題一覧（50問）

  1. 解像度の式 R = k1 × λ / NA にもとづき、解像度を向上させる(Rを小さくする)方法として正しいものはどれか。
  2. EUV露光で使われる光の波長はどれか。
  3. ポジ型フォトレジストの説明として正しいものはどれか。
  4. ArF液浸露光の説明として正しいものはどれか。
  5. ダブルパターニング(マルチパターニング)の説明として正しいものはどれか。
  6. 露光装置の開口数(NA)を大きくすると、焦点深度(DOF)は一般にどうなるか。
  7. OPC(光近接効果補正)の説明として正しいものはどれか。
  8. 位相シフトマスクの目的として正しいものはどれか。
  9. リソグラフィにおける重ね合わせ(オーバーレイ)精度とは何か。
  10. 化学増幅型レジストの特徴として正しいものはどれか。
  11. 現在の露光装置(スキャナー)で一般的な、マスクのパターンをウエハ上に投影するときの縮小倍率はどれか。
  12. スキャナー型露光装置の特徴として正しいものはどれか。
  13. EUV露光で使われるマスクの特徴として正しいものはどれか。
  14. リソグラフィの一般的な工程順として正しいものはどれか。
  15. 微細なパターンをもつ型(モールド)をレジストに押し付けて、パターンを転写する技術を何と呼ぶか。
  16. フォトマスク(レチクル)のパターンを描くために主に使われる装置はどれか。
  17. フォトマスクの上に一定の間隔をあけて張る薄い膜(ペリクル)の役割はどれか。
  18. レジストの下に塗る反射防止膜(BARC)の主な目的はどれか。
  19. 次世代のEUV露光装置として開発された「High-NA EUV」の特徴として正しいものはどれか。
  20. 微細なレジストパターンの側面に生じる、ナノメートル単位の凹凸を表す指標はどれか。
  21. 解像度の式 R = k1 × λ / NA の係数k1についての説明として正しいものはどれか。
  22. EUV露光で問題になる確率的なゆらぎ(ストカスティクス)の主な原因として正しいものはどれか。
  23. EUVマスクで、多層膜の内部に埋もれた欠陥が問題になる理由として正しいものはどれか。
  24. 露光量とフォーカスを変えても、パターンの寸法が許容範囲内に収まる条件の範囲を何と呼ぶか。
  25. LELE(リソ・エッチ・リソ・エッチ)方式のダブルパターニングで、特に厳しく求められるものはどれか。
  26. 水銀ランプのi線の波長はどれか。
  27. マスクを斜めの方向から照明して、細かいパターンの解像度を高める技術はどれか。
  28. ポジ型の化学増幅レジストを有機溶剤で現像し、露光していない部分を溶かす方法はどれか。
  29. EUV露光向けに開発が進む、金属酸化物を含むレジストの利点として正しいものはどれか。
  30. ブロック共重合体が自然に規則正しい微細なパターンをつくる性質を利用するパターン形成技術はどれか。
  31. 半導体製造におけるリソグラフィの役割として正しいものはどれか。
  32. 「リソグラフィ(lithography)」という言葉のもとの意味として正しいものはどれか。
  33. フォトレジストの説明として正しいものはどれか。
  34. EUV露光装置を事実上1社で供給している企業はどれか。
  35. KrFエキシマレーザー露光で使われる光の波長はどれか。
  36. レジストを塗る前に、ウエハ表面をHMDSなどで処理する主な目的はどれか。
  37. 微細化の指標として使われる「ハーフピッチ」の意味として正しいものはどれか。
  38. 露光の際に、前の工程でつくったパターンに次のパターンを正確に重ねるため、ウエハ上に設けておく目印を何と呼ぶか。
  39. リソグラフィで管理される「CDU」の意味として正しいものはどれか。
  40. フォトマスクをつくるときに使う、石英ガラスの基板に遮光膜などをあらかじめ成膜した材料を何と呼ぶか。
  41. マスクを使わず、電子ビームでウエハ上のレジストに直接パターンを描く方式の特徴として正しいものはどれか。
  42. EUV露光装置の光源で、13.5 nmの光をつくる方法として正しいものはどれか。
  43. スピンコートでレジストを塗った後、ウエハの外周部に盛り上がったレジストを溶剤で取り除く処理を何と呼ぶか。
  44. 現在のスキャナー型露光装置で、1回の露光(1ショット)でウエハ上に露光できる最大の領域の大きさとして一般的なものはどれか。
  45. 露光装置の照明の形とマスクのパターンを、計算機で同時に最適化して解像性を高める技術はどれか。
  46. 開口数(NA)が非常に大きい液浸露光で、光の偏光を考慮する必要が出てくる理由として正しいものはどれか。
  47. EUV露光で問題になる「フレア」の主な原因として正しいものはどれか。
  48. EUVマスクで、吸収体のパターンの厚さが波長に比べて無視できず、斜めに入射する光が影をつくるなどして像に影響する現象を何と呼ぶか。
  49. 設計したレイアウトのうち、露光や加工のシミュレーションでパターンがつながったり切れたりしやすいと予測される弱い箇所を何と呼ぶか。
  50. EUV露光で、レジストから出るガス(アウトガス)が問題視されてきた主な理由はどれか。

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