微影 下列何者是表示微細光阻圖案側面所產生之奈米等級凹凸的指標？ A焦深（DOF） B數值孔徑（NA） C線邊緣粗糙度（LER） 查看答案與解析 正確答案：C. 線邊緣粗糙度（LER） LER是表示圖案側面凹凸程度的指標（通常以3σ表示），以線寬變異來表示的則稱為LWR。當線寬縮到20 nm左右時，即使只有2～3 nm的凹凸也會超過線寬的一成，成為電晶體臨界電壓與配線電阻變異的原因。其成因是光阻分子的大小、酸的擴散，以及光子數的機率性起伏，可透過蝕刻時的平滑化等方式改善。