關於EUV曝光所使用光罩的特徵，下列何者正確？

正確答案：A. 在反射光的多層膜反射鏡上，製作吸收體圖案的反射式光罩

由於EUV光會被大多數物質吸收，無法使用穿透式光罩。EUV光罩是在低熱膨脹玻璃基板上，以約7 nm的週期堆疊約40對鉬與矽，製成多層膜反射鏡（反射率約65%），再於其上以鉭系等吸收體製作圖案的反射式光罩。光以傾斜約6°的角度入射，並將反射光送往投影光學系統。減少多層膜的缺陷是製造上的一大課題。