CMP與清洗
以三選一題型確認CMP的平坦化、碟形凹陷、RCA清洗（SC-1、SC-2）的目的等。
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CMP與清洗的重點
CMP（化學機械研磨）是結合研磨液的化學作用與研磨墊的機械研磨，使晶圓表面平坦的技術。對於多層配線，以及以鑲嵌法形成Cu配線而言不可或缺。
清洗是去除微粒、有機物、金屬汙染、原生氧化膜等的製程，在製造流程中會反覆進行多次。請掌握以RCA清洗為基礎的各種藥液的使用區分。
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清洗是去除微粒、有機物、金屬汙染、原生氧化膜等的製程，在製造流程中會反覆進行多次。請掌握以RCA清洗為基礎的各種藥液的使用區分。