SADP、SAQP 與 LELE 的差異：多重圖案化的間距分割、疊對精度、光罩與製程數比較
多重圖案化是把單次曝光無法解析的細間距圖案，分成多次曝光或加工來形成的技術。LELE 將佈局拆成兩片光罩，重複兩次曝光與蝕刻，讓線條交錯排列。SADP 在芯材（mandrel）側壁形成間隔壁（spacer），再去除芯材，由一條芯材得到兩條線，使間距減半。SAQP 重複兩次間隔壁製程，使間距縮為 1/4。LELE 佈局自由度高，但對兩次曝光之間的疊對精度要求嚴格；SADP 與 SAQP 的線條位置由自對準決定，但只能形成規則排列的線，並需要切除不要部分的切割光罩（cut mask）。
| 項目 | SADP | SAQP | LELE |
|---|---|---|---|
| 間距的分割 | 1/2（一條芯材形成兩條線） | 1/4（重複兩次間隔壁製程） | 1/2（使用三片光罩的 LELELE 為 1/3） |
| 可達間距的參考（ArF 浸潤式） | 單次曝光極限（間距約 80 nm）的一半，約 40 nm | 約 20 多 nm | 原理上約 40 nm，實際上受疊對精度限制 |
| 決定線條位置的因素 | 芯材的位置與間隔壁膜厚（自對準） | 芯材的位置與兩次間隔壁的膜厚（自對準） | 兩次曝光各自的位置。第二次需疊對到第一次 |
| 對疊對精度的敏感度 | 線與線之間的位置不受疊對影響。切割光罩仍須對準線條 | 與 SADP 相同，線與線之間不受影響。切割或阻擋光罩的對準更嚴格 | 非常敏感。第二次曝光的偏移會直接變成相鄰線條間隔的變化 |
| 線寬與間隔的變異 | 線寬由膜厚決定，相當一致。芯材寬度偏離時，交錯的間隔會不相等（pitch walking） | 影響因素（芯材寬度與兩次膜厚）增加，pitch walking 更難管理 | 兩次曝光的線寬各自變異，間隔隨疊對偏移而改變 |
| 光罩數（形成線條者） | 芯材用 1 片，加上切割或阻擋用光罩 | 芯材用 1 片，加上切割或阻擋用光罩（一般比 SADP 多） | 2 片（LELELE 為 3 片） |
| 主要製程 | 曝光 → 芯材蝕刻 → 間隔壁沉積（ALD 等） → 回蝕 → 去除芯材 → 轉印到下層 → 切割 | 在 SADP 的製程上，再加上第二次間隔壁沉積、回蝕與去除芯材 | 曝光 → 蝕刻 → 曝光 → 蝕刻（依序轉印到硬遮罩等） |
| 佈局的自由度 | 低。基本上是同一方向的規則線條，不要的部分以切割去除 | 比 SADP 更低。幾乎只限於均勻的柵狀圖案 | 高。可處理二維形狀，但無法分成兩色的配置（例如彼此接近的三個圖案）不能使用 |
| 主要用途 | 鰭片、閘極、金屬導線、記憶體的微細線條 | 最細的鰭片、最密的金屬導線、記憶體的線條 | 接觸窗、介層窗、形狀複雜的金屬導線層 |
數值為具代表性的大致參考值，會因世代或產品而異。