配線製程
以三選一題型學習Cu配線與鑲嵌法、Low-k材料、配線的RC延遲等配線製程的基本觀念。
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配線製程的重點
在LSI中，電晶體之間以多層金屬配線連接。隨著微縮推進，配線電阻與電容所造成的延遲（RC延遲）開始左右效能，因此配線材料不斷改良。
電阻比鋁低的Cu配線難以進行乾式蝕刻，因此採用先填入溝槽、再以CMP研磨的鑲嵌法來製作。層間絕緣膜則使用介電常數低的Low-k材料。
以三選一題型學習Cu配線與鑲嵌法、Low-k材料、配線的RC延遲等配線製程的基本觀念。
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在LSI中，電晶體之間以多層金屬配線連接。隨著微縮推進，配線電阻與電容所造成的延遲（RC延遲）開始左右效能，因此配線材料不斷改良。
電阻比鋁低的Cu配線難以進行乾式蝕刻，因此採用先填入溝槽、再以CMP研磨的鑲嵌法來製作。層間絕緣膜則使用介電常數低的Low-k材料。