微影

微影的一般製程順序,下列何者正確?

  1. A曝光 → 光阻塗佈 → 顯影 → 預烤
  2. B光阻塗佈 → 預烤 → 曝光 → 曝光後烘烤 → 顯影
  3. C顯影 → 曝光 → 光阻塗佈 → 蝕刻
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正確答案:B. 光阻塗佈 → 預烤 → 曝光 → 曝光後烘烤 → 顯影

首先以HMDS處理提高附著性,塗佈抗反射膜與光阻,再以預烤(約100 ℃)蒸發溶劑。接著進行曝光,化學放大型光阻則以曝光後烘烤(PEB)推進反應。最後以鹼性顯影液顯影形成圖案,必要時再以後烤硬化。從塗佈到顯影,是在與曝光機連線的塗佈顯影機(coater/developer)中進行,並將溫度管控在±0.1 ℃左右。

微影與蝕刻的流程(正型光阻) 光阻 待蝕刻的膜 基板 光罩 受光照射的部分 ① 塗佈 ② 曝光 ③ 顯影 ④ 蝕刻 ⑤ 去光阻
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