微影

在EUV曝光中,光阻所釋出的氣體(逸氣,outgas)一直被視為問題,其主要理由為下列何者?

  1. A因為氣體必定會提高光阻的靈敏度
  2. B因為可能附著在真空中的光學系統(反射鏡)上造成污染,使反射率下降
  3. C因為氣體會使晶圓冷卻
查看答案與解析

正確答案:B. 因為可能附著在真空中的光學系統(反射鏡)上造成污染,使反射率下降

EUV曝光是在真空中進行,曝光會使光阻釋出含碳分子與分解產物等氣體。若這些氣體附著在價值數百億日圓之機台的多層膜反射鏡表面而造成碳污染等,即使每一面只讓反射率下降一點點,在將近10面反射鏡的疊加下,機台性能也會大幅下降。因此EUV用的光阻會事先評估與管控逸氣量,機台內部也會以氫氣清洗。

  • A. 問題並不在於逸氣使靈敏度提高。
  • B. 正確。可能污染反射鏡而使反射率下降。
  • C. 問題並不在於使晶圓冷卻。
練習這個領域 前往領域頁面

微影的其他題目

  1. 根據解析度公式 R = k1 × λ / NA,下列何者是提升解析度(縮小R)的正確方法?
  2. EUV曝光所使用的光,其波長為下列何者?
  3. 關於正型光阻的說明,下列何者正確?
  4. 關於ArF浸潤式曝光的說明,下列何者正確?
  5. 關於雙重圖案化(多重圖案化)的說明,下列何者正確?

這個領域的比較