先端技術(3D実装・チップレット)
チップレット、TSV(シリコン貫通電極)、HBMなど、3D実装と先端パッケージ技術を3択問題で確認できます。
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先端技術(3D実装・チップレット)の要点
微細化だけで性能を伸ばすことが難しくなり、複数のチップを1つのパッケージにまとめて性能を高める技術が注目されています。機能ごとに分けた小さなチップ(チップレット)を組み合わせる方式は、歩留まりやコストの面でも利点があります。
TSVでチップを縦に積み重ねる3D実装や、インターポーザ上にプロセッサとHBMを並べる2.5D実装が、AI向けの高性能半導体で使われています。
先端技術(3D実装・チップレット)の問題一覧（50問）
- チップレットの説明として正しいものはどれか。
- TSV(シリコン貫通電極)の説明として正しいものはどれか。
- HBM(High Bandwidth Memory)の説明として正しいものはどれか。
- 2.5D実装で使われるシリコンインターポーザの役割として正しいものはどれか。
- ハイブリッドボンディングの説明として正しいものはどれか。
- ファンアウト型ウエハレベルパッケージ(FOWLP)の特徴として正しいものはどれか。
- 異なる企業のチップレットどうしを接続できるようにすることを目指した、ダイ間インターフェースの業界標準規格はどれか。
- チップを縦に積み重ねる3D実装で特に課題になりやすいものはどれか。
- SiP(システムインパッケージ)の説明として正しいものはどれか。
- フリップチップ接続で、はんだボールの代わりに銅の柱(Cuピラー)を使う主な利点はどれか。
- チップやウエハの表面に形成し、電極の位置を外部端子の位置まで引き回すための配線層を何と呼ぶか。
- 大きなシリコンインターポーザの代わりに、チップ間の接続部分だけに小さなシリコン片を埋め込んで、高密度な配線を実現する方式はどれか。
- 次世代の大型パッケージ基板の材料として、有機材料に代わって検討されているガラス基板の利点として正しいものはどれか。
- スイッチICなどと光の送受信部品を同じパッケージ内に近接して実装し、電気配線を短くして消費電力を減らす技術を何と呼ぶか。
- ハイブリッドボンディングの方式のうち、テストで良品と判定したチップだけを選んで、相手のウエハに接合できる方式はどれか。
- TSVで積層したチップどうしや、チップとインターポーザの接続に使われる、通常のはんだボールよりはるかに小さいバンプを何と呼ぶか。
- AI向けのGPUで、GPUチップとHBMを1つのシリコンインターポーザの上に並べて実装する主な理由はどれか。
- 3D NANDで、メモリセルアレイと周辺回路を別々のウエハでつくって貼り合わせる方式の利点として正しいものはどれか。
- チップとヒートスプレッダ(放熱板)の間に挟み、微細な隙間を埋めて熱を伝えやすくする材料を何と呼ぶか。
- チップレット間接続の性能の指標として重視される、チップの辺の長さあたりに確保できるデータ転送量を何と呼ぶか。
- 2.5D実装と3D実装の違いとして正しいものはどれか。
- HBMで、1つのスタックに積み重ねられるDRAMダイの数として一般的なものはどれか。
- 異なる製造プロセスや材料でつくったチップを、1つのパッケージに統合する考え方を何と呼ぶか。
- TSVの一般的な形成工程として正しいものはどれか。
- 円形のウエハではなく、大型の角形パネルの上でパッケージを一括して製造する方式の主な狙いはどれか。
- TSVを形成したチップを積層するため、ウエハを裏面から研削して薄くする厚さの目安として正しいものはどれか。
- チップレットを使うことで期待できる利点として正しいものはどれか。
- ハイブリッドボンディングで、接合する面に求められる条件として正しいものはどれか。
- HBMの最下層にあるベースダイ(ロジックダイ)の役割として正しいものはどれか。
- 大電力のAI向けパッケージで、検討・導入が進んでいる冷却方法の例として正しいものはどれか。
- チップを縦に積み重ねる3D実装の基本的な利点として正しいものはどれか。
- プロセッサの演算性能の向上に比べて、メモリからデータを供給する速さが追いつかず、全体の性能を制限してしまう問題を何と呼ぶか。
- スマートフォンのメモリなどで古くから使われてきた、複数のチップを少しずらして重ね、それぞれをワイヤボンディングで基板につなぐ積層の方式はどれか。
- チップレットに対して、システムに必要な機能をすべて1つの大きなチップに作り込む従来の形を何と呼ぶか。
- TSVや微細な再配線層の形成など、前工程に近い微細加工の技術をウエハの状態で使う先端パッケージの工程が、前工程と後工程の間にあたることから呼ばれる名前はどれか。
- TSMCの2.5D実装技術で、AI向けのGPUとHBMをシリコンインターポーザの上に並べて接続する用途で広く使われているものはどれか。
- TSMCが開発したファンアウト型ウエハレベルパッケージの技術で、2016年にスマートフォンのプロセッサで採用されて広く知られるようになったものはどれか。
- ウエハどうしを丸ごと貼り合わせるウエハ・オン・ウエハ(W2W)接合の課題として正しいものはどれか。
- 2.5D実装で、シリコンインターポーザの代わりに、有機材料の絶縁膜と銅配線を重ねた再配線層(RDL)のインターポーザを使う主な利点はどれか。
- HBM3までの世代で、HBMの1スタックあたりのデータバスの幅として正しいものはどれか。
- TSVを形成したウエハを数十µmまで薄くして加工するとき、割れや反りを防ぐために、支持用のウエハ(キャリア)に一時的に貼り付けて扱う技術はどれか。
- ファンアウト型ウエハレベルパッケージで、切り出したチップを支持体の上に間隔をあけて並べ、樹脂で埋めて作り直したウエハ状のものを何と呼ぶか。
- チップレット化の課題として正しいものはどれか。
- プロセッサのチップの上に、キャッシュ用のSRAMのチップをハイブリッドボンディングで積み重ねる製品の主な狙いはどれか。
- 露光装置で一度に露光できる最大の範囲(約26 mm × 33 mm)より大きなシリコンインターポーザを製造するために用いられる方法はどれか。
- 銅と絶縁膜によるハイブリッドボンディングで、銅の電極どうしが接合される仕組みとして正しい説明はどれか。
- TSVを形成するタイミングによる分類で、トランジスタを形成したあと、多層配線を形成する前にTSVを作る方式はどれか。
- チップどうしを接続する端子の間隔(ピッチ)の目安の組み合わせとして最も適切なものはどれか。
- ファンアウト型ウエハレベルパッケージの製造で、チップを樹脂で封止する際に、樹脂の流動や硬化時の収縮によってチップの位置がずれる問題を何と呼ぶか。
- TSVの周囲に、トランジスタを配置しない領域(キープアウトゾーン)を設ける主な理由はどれか。