TSV(シリコン貫通電極)とは

解説の中の「TSV(シリコン貫通電極)」

• TSV(Through-Silicon Via)は、シリコン基板に穴をあけて導体を埋め込み、基板の表と裏を電気的につなぐ電極です。

  TSV(シリコン貫通電極)の説明として正しいものはどれか。

• TSVは、深掘りエッチング(ボッシュプロセスなど)でシリコンに穴をあけ、穴の内面に絶縁膜とバリア層、シード層を形成したあと、めっきで銅などを埋め込んでつくります。

  TSVの一般的な形成工程として正しいものはどれか。

• TSVで積層するチップは、穴の深さを抑え、積層後の全体の厚さを小さくするため、数十µm程度まで薄くします。

  TSVを形成したチップを積層するため、ウエハを裏面から研削して薄くする厚さの目安として正しいものはどれか。

「TSV(シリコン貫通電極)」が出てくる問題(16問)

1. TSV(シリコン貫通電極)の説明として正しいものはどれか。
2. TSVで積層したチップどうしや、チップとインターポーザの接続に使われる、通常のはんだボールよりはるかに小さいバンプを何と呼ぶか。
3. TSVの一般的な形成工程として正しいものはどれか。
4. TSVを形成したチップを積層するため、ウエハを裏面から研削して薄くする厚さの目安として正しいものはどれか。
5. TSVや微細な再配線層の形成など、前工程に近い微細加工の技術をウエハの状態で使う先端パッケージの工程が、前工程と後工程の間にあたることから呼ばれる名前はどれか。
6. TSVを形成したウエハを数十µmまで薄くして加工するとき、割れや反りを防ぐために、支持用のウエハ(キャリア)に一時的に貼り付けて扱う技術はどれか。
7. TSVを形成するタイミングによる分類で、トランジスタを形成したあと、多層配線を形成する前にTSVを作る方式はどれか。
8. TSVの周囲に、トランジスタを配置しない領域(キープアウトゾーン)を設ける主な理由はどれか。
9. トランジスタの層をウエハの上に順に積み重ねてつくる、チップの貼り合わせによらない3次元集積の方式はどれか。
10. MEMSの製造で使われるDeep RIE(ボッシュプロセス)の説明として正しいものはどれか。
11. 300 mmシリコンウエハの標準的な厚さに最も近いものはどれか。
12. HBM(High Bandwidth Memory)の説明として正しいものはどれか。
13. 2.5D実装で使われるシリコンインターポーザの役割として正しいものはどれか。
14. 2.5D実装と3D実装の違いとして正しいものはどれか。
15. HBMで、1つのスタックに積み重ねられるDRAMダイの数として一般的なものはどれか。

関連する用語

HBM ハイブリッドボンディング シリコンインターポーザ 2.5D実装 ワイヤボンディング 3D実装 ボッシュプロセス(Deep RIE) マイクロバンプ シード層 再配線層(RDL)