先端技術(3D実装・チップレット)

銅と絶縁膜によるハイブリッドボンディングで、銅の電極どうしが接合される仕組みとして正しい説明はどれか。

  1. Aはんだを溶かして銅どうしをつなぐ
  2. B接着剤で銅どうしを貼り付ける
  3. Cまず絶縁膜どうしを接合し、その後の加熱で銅が膨張して銅どうしが密着し、拡散して接合される
答えと解説を見る

正解:C. まず絶縁膜どうしを接合し、その後の加熱で銅が膨張して銅どうしが密着し、拡散して接合される

ハイブリッドボンディングでは、平坦化して活性化した絶縁膜(酸化膜など)の面どうしを常温付近で接合し、その後のアニール(加熱)で絶縁膜どうしの結合を強めます。銅の電極はわずかにくぼませておき、加熱による熱膨張で銅どうしが押し付けられて密着し、原子の拡散で一体化します。

  • A. はんだを使わないのがハイブリッドボンディングの特徴です。
  • B. 接着剤は使いません。
  • C. 正しい。絶縁膜の接合と加熱による銅の膨張を組み合わせます。
この分野を解く 分野ページへ

先端技術(3D実装・チップレット)のほかの問題

  1. TSVを形成するタイミングによる分類で、トランジスタを形成したあと、多層配線を形成する前にTSVを作る方式はどれか。
  2. チップどうしを接続する端子の間隔(ピッチ)の目安の組み合わせとして最も適切なものはどれか。
  3. ファンアウト型ウエハレベルパッケージの製造で、チップを樹脂で封止する際に、樹脂の流動や硬化時の収縮によってチップの位置がずれる問題を何と呼ぶか。
  4. TSVの周囲に、トランジスタを配置しない領域(キープアウトゾーン)を設ける主な理由はどれか。
  5. チップレットの説明として正しいものはどれか。