半導体の計算ツール
ウエハ1枚のダイ数や歩留まり、露光の解像度、タイミングの余裕など、半導体の基本的な数字をブラウザ上で計算できる無料のツールです。
ダイ数・歩留まり計算ツールウエハ径・チップサイズ・欠陥密度から、ダイ数・歩留まり・良品1個のコストを計算露光の解像度・焦点深度の計算波長・NA・k1から、解像できる線幅と焦点深度、必要なパターン分割の回数を計算セットアップ・ホールドのタイミング計算クロック周期と遅延から、セットアップ・ホールドの余裕(スラック)と最大周波数を計算MOSFETの電流-電圧特性(ID–VDS)しきい値電圧やW/Lを変えて、ID–VDS特性と動作点(領域・ID・gm・ro)を確かめる問題セットを作る分野と問題数を選ぶだけで、授業や研修で配れるクイズのURLを発行接合温度(Tj)と熱抵抗の計算消費電力と熱抵抗から、チップの接合温度、最大接合温度までの余裕、使える最大電力を計算メモリ帯域幅の計算転送レートとバス幅から、DDR・LPDDR・GDDR・HBMのピーク帯域と実効帯域の目安を計算ADコンバータのSN比と有効ビット数(ENOB)分解能、クロックジッタ、オーバーサンプリングから、ADコンバータのSN比と有効ビット数を計算アムダールの法則と並列化の速度向上並列化できる割合とプロセッサ数から、アムダールの法則とグスタフソンの法則で速度向上率と並列効率を計算キャッシュのアドレス分割と平均メモリアクセス時間容量・ラインサイズ・連想度から、タグ・インデックス・オフセットのビット数と平均メモリアクセス時間を計算CMOS回路の消費電力(動的電力と静的電力)活動率・容量・電圧・周波数とリーク電流から、動的電力と静的電力、DVFSで電圧と周波数を下げたときの電力を計算PN接合の内蔵電位と空乏層幅不純物濃度と逆バイアス電圧から、PN接合の内蔵電位、空乏層幅、最大電界、接合容量を計算熱酸化の膜厚(Deal-Groveモデル)温度・時間・ドライ/ウェット・面方位から、Deal-Groveモデルでシリコン酸化膜の厚さと消費されるシリコンを計算LSIの配線のRC遅延配線の金属・幅・厚さ・間隔・比誘電率・長さから、配線の抵抗と容量、分布RC線路の遅延とドライバを含めた遅延を計算位相雑音からRMSジッタへの換算位相雑音のプロファイル(dBc/Hz)を積分して、クロックのRMS位相誤差とRMSジッタを計算PDNの目標インピーダンスとデカップリングコンデンサ電源電圧・許容リップル・電流の変化から目標インピーダンスを求め、デカップリングコンデンサの自己共振周波数と効く周波数範囲を計算