先端技術(3D実装・チップレット)

TSVの一般的な形成工程として正しいものはどれか。

  1. Aワイヤを通して接続する
  2. Bはんだを流し込むだけで形成する
  3. C深掘りエッチングで穴をあけ、絶縁膜とバリア層を形成してから銅などで埋め込む
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正解：C. 深掘りエッチングで穴をあけ、絶縁膜とバリア層を形成してから銅などで埋め込む

TSVは、深掘りエッチング(ボッシュプロセスなど)でシリコンに穴をあけ、穴の内面に絶縁膜とバリア層、シード層を形成したあと、めっきで銅などを埋め込んでつくります。その後ウエハを裏面から薄く削って、TSVの先端を露出させます。

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