先端技術(3D実装・チップレット)

TSVの周囲に、トランジスタを配置しない領域(キープアウトゾーン)を設ける主な理由はどれか。

  1. ATSVが光を出すため
  2. B銅とシリコンの熱膨張係数の違いによる応力で、近くのトランジスタの特性が変わるため
  3. CTSVの周囲は露光できないため
答えと解説を見る

正解:B. 銅とシリコンの熱膨張係数の違いによる応力で、近くのトランジスタの特性が変わるため

銅はシリコンより熱膨張係数が大きいため、製造時の温度変化によってTSVの周りのシリコンに応力が残ります。応力はキャリアの移動度を変えるので、近くのトランジスタの電流などの特性がずれてしまいます。そこでTSVの周囲に一定の距離のキープアウトゾーンを設け、影響を受けやすい素子を置かないようにします。

  • A. TSVが光を出すことはありません。
  • B. 正しい。熱膨張の差による応力が特性を変えます。
  • C. TSVの周囲も露光することはできます。
この分野を解く 分野ページへ

先端技術(3D実装・チップレット)のほかの問題

  1. チップレットの説明として正しいものはどれか。
  2. TSV(シリコン貫通電極)の説明として正しいものはどれか。
  3. HBM(High Bandwidth Memory)の説明として正しいものはどれか。
  4. 2.5D実装で使われるシリコンインターポーザの役割として正しいものはどれか。
  5. ハイブリッドボンディングの説明として正しいものはどれか。