シリコンインターポーザ・有機インターポーザ・シリコンブリッジの違い：配線密度・大きさ・コストを比較

どんなときに使うか

シリコンインターポーザ

配線の密度を最優先するときに向きます。プロセッサと複数のHBMを数千本の配線で結ぶ構成で、広く使われてきた方式です。

有機インターポーザ(RDL)

シリコンほどの配線密度は要らず、コストや大きさを優先したいときに向きます。熱膨張の差による接続部の応力を減らしたいときにも有利です。

シリコンブリッジ

パッケージを大きくしながら、チップどうしの境目だけに高密度な配線が欲しいときに向きます。シリコンの面積を減らして、コストを抑えます。

理解度チェック

1. 露光装置で一度に露光できる最大の範囲(約26 mm × 33 mm)より大きなシリコンインターポーザを製造するために用いられる方法はどれか。
2. AI向けのGPUで、GPUチップとHBMを1つのシリコンインターポーザの上に並べて実装する主な理由はどれか。
3. 2.5D実装と3D実装の違いとして正しいものはどれか。

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関連する用語の解説

シリコンインターポーザ

複数のチップを並べて載せ、微細な配線で高密度に接続するシリコンの中継基板。GPUとHBMの接続などに使われる。

再配線層(RDL)

チップやウエハの表面に形成し、電極の位置を外部端子の位置まで引き回すための配線層。ファンアウト型パッケージやインターポーザに使われる。

TSV(シリコン貫通電極)

シリコン基板を貫通する電極。積層したチップどうしを上下に短い距離で接続する。

2.5D実装

複数のチップを、シリコンインターポーザなどの中継基板の上に横に並べ、微細な配線で高密度に接続する実装方式。GPUとHBMの接続などに使われる。

HBM

複数のDRAMダイをTSVで積層し、非常に広いバス幅で高い帯域を実現するメモリ。

チップレット

機能ごとに分けてつくった小さなチップ。複数を1つのパッケージ内で接続して大きなシステムを構成する。

マイクロバンプ

TSVで積層したチップどうしや、チップとインターポーザの接続に使われる、通常のはんだボールよりはるかに小さいバンプ。ピッチは数十µm程度。

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