先端技術(3D実装・チップレット)

TSMCが開発したファンアウト型ウエハレベルパッケージの技術で、2016年にスマートフォンのプロセッサで採用されて広く知られるようになったものはどれか。

  1. AInFO(Integrated Fan-Out)
  2. BCoWoS
  3. CHBM
答えと解説を見る

正解：A. InFO(Integrated Fan-Out)

InFOは、チップを樹脂で埋め込んだ再構成ウエハの上に再配線層を形成するファンアウト型のパッケージ技術で、パッケージ基板を使わずに薄く小さく作れます。2016年に米Appleのスマートフォン用プロセッサで採用されたことで、ファンアウト型の先端パッケージが広く普及するきっかけになりました。

  • A. 正しい。TSMCのファンアウト型のパッケージ技術です。
  • B. CoWoSはシリコンインターポーザを使う2.5D実装の技術です。
  • C. HBMは積層型のメモリです。
この分野を解く 分野ページへ

先端技術(3D実装・チップレット)のほかの問題

  1. ウエハどうしを丸ごと貼り合わせるウエハ・オン・ウエハ(W2W)接合の課題として正しいものはどれか。
  2. 2.5D実装で、シリコンインターポーザの代わりに、有機材料の絶縁膜と銅配線を重ねた再配線層(RDL)のインターポーザを使う主な利点はどれか。
  3. HBM3までの世代で、HBMの1スタックあたりのデータバスの幅として正しいものはどれか。
  4. TSVを形成したウエハを数十µmまで薄くして加工するとき、割れや反りを防ぐために、支持用のウエハ(キャリア)に一時的に貼り付けて扱う技術はどれか。
  5. ファンアウト型ウエハレベルパッケージで、切り出したチップを支持体の上に間隔をあけて並べ、樹脂で埋めて作り直したウエハ状のものを何と呼ぶか。