矽晶圓
以CZ法成長的矽晶體所含間隙氧的濃度，其參考值最接近下列哪一項？
- A約10¹⁸ cm⁻³
- B約10²³ cm⁻³
- C約10¹⁰ cm⁻³
查看答案與解析
正確答案：A. 約10¹⁸ cm⁻³
CZ晶體含有從石英坩堝溶出的氧，約為10¹⁷〜10¹⁸ cm⁻³(數〜十幾ppma)，多數位於間隙位置。這些氧經熱處理析出後有助於吸附，也能固定差排使晶圓更堅固，但過多則會造成缺陷與熱施體。濃度以紅外線吸收(波長約9 µm的吸收)來量測，並依用途管控在狹窄的範圍內。
- A. 正確。參考值約為10¹⁷〜10¹⁸ cm⁻³。
- B. 約10²³ cm⁻³比矽的原子密度(約5×10²² cm⁻³)還大，不可能。
- C. 約10¹⁰ cm⁻³是本質載子濃度左右的數值，作為氧濃度太小。