矽晶圓
為了能用光學顯微鏡觀察矽晶體中的差排或疊差等，選擇性地淺蝕缺陷部分的方法是哪一種？
- A反應性離子蝕刻
- B選擇性蝕刻(Secco蝕刻等)
- C犧牲層蝕刻
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正確答案：B. 選擇性蝕刻(Secco蝕刻等)
選擇性蝕刻使用的藥液(鉻酸系的Secco液、Wright液、不含鉻的藥液等)，會使缺陷周圍的應變部分比周圍蝕刻得更快，讓缺陷以蝕坑(凹陷)的形式浮現出來。由蝕坑的形狀評估缺陷的種類，由數量評估密度。這是晶體品質管理的基本手法，但屬於破壞性檢查，也正推動改用對環境負荷較小的藥液。
- A. 反應性離子蝕刻是用來加工圖案的乾式蝕刻。
- B. 正確。選擇性蝕刻缺陷使其可見。
- C. 犧牲層蝕刻是MEMS中使結構懸浮的製程。