矽晶圓
以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶，下列哪一項特徵是正確的？
- A最容易大口徑化，是300 mm晶圓的主流製法
- B不使用石英坩堝，所以氧等雜質少，容易得到高電阻的晶體
- C不需熔化多晶矽即可使其單晶化
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正確答案：B. 不使用石英坩堝，所以氧等雜質少，容易得到高電阻的晶體
FZ法是以高頻感應加熱將多晶矽棒的一部分熔成帶狀，再移動該熔融區使其單晶化的方法。由於不使用坩堝，氧的混入少，雜質也會集中到熔融區而被去除，因此可得到高純度、電阻率達1000 Ω·cm以上的晶體。它用於高耐壓的功率元件(IGBT等)與偵測器，但大口徑化以CZ法較為容易，FZ法的上限約為200 mm左右。