矽晶圓 以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？ A金 B氧 C氦 查看答案與解析 正確答案：B. 氧 CZ法是在石英(SiO2)坩堝中熔化矽，因此從坩堝溶出的氧會以約10¹⁸ cm⁻³的濃度進入晶體。氧具有固定差排而提高晶體機械強度的優點，熱處理所形成的析出物也能作為吸附位置，但過多則會造成缺陷與熱施體(thermal donor)。因此會以施加磁場抑制對流的MCZ法等控制其濃度，並依用途決定規格。