下列關於SOI晶圓代表性製造方法的敘述，哪一項是正確的？

正確答案：C. 將植入氫離子的晶圓貼合到另一片晶圓上，在植入的深度處剝離，留下薄矽層

在智能剝離法(Smart Cut)中，先將表面熱氧化並在數百nm的深度植入氫離子，再把該晶圓與支撐基板貼合。經數百℃的熱處理，植入的氫會形成微小空洞並連成層狀，在該深度處剝離後，就得到氧化膜上留有薄單晶矽層的SOI晶圓。表面以CMP精修，並以數nm為單位調整厚度。剝離後剩下的晶圓可重新拋光再利用。