矽晶圓
利用CZ晶圓內部氧析出所形成的微小缺陷(BMD)，其目的下列哪一項是正確的？
- A作為捕捉金屬雜質的吸附位置
- B使晶圓發光
- C降低晶圓的強度
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正確答案：A. 作為捕捉金屬雜質的吸附位置
CZ晶圓所含的氧，會因熱處理而在晶圓內部形成析出物(BMD：Bulk Micro Defect)。析出物及其周圍的應變與差排會捕捉金屬雜質，所以被用於本質吸附(intrinsic gettering)，使金屬汙染遠離表面的元件區域。BMD的密度控制在10⁸〜10¹⁰ cm⁻³左右。不過若靠近表面會造成漏電，所以表面會保留無缺陷層。