以CZ法拉出摻雜的晶體時，晶體下部(拉晶後半段)的雜質濃度有越來越高的傾向。下列哪一項是正確的原因？

正確答案：B. 因為多數雜質的偏析係數小於1，不易進入晶體的雜質會在熔液中逐漸濃縮

晶體凝固時，多數雜質不易進入晶體(偏析係數k < 1)，而留在熔液側。例如磷的k ≈ 0.35，砷約0.3，銻約0.023。隨著拉晶進行，熔液中的濃度上升，所以晶體後半段的雜質濃度越高，電阻率越低。因此即使是一根晶錠，也只有落在規格電阻率內的部分才能作為產品，而偏析小的硼則是容易做到均勻的雜質。