半導體是什麼?導電性可以大幅改變的材料
半導體是一種導電性介於金屬(導體)與玻璃、橡膠(絕緣體)之間的材料。重點不在於「介於中間」,而在於只要加入極少量的雜質,或改變電壓、光線、溫度,就能大幅改變它的導電性。利用這個性質,可以做出讓電流導通或切斷的開關,所以半導體成了手機、電腦和汽車電子零件的基礎。
這篇文章可以了解
- 「半導體」這個名稱的意思,以及它和導體、絕緣體的差別
- 改變導電性的4種方法
- 為什麼使用矽
- n型、p型是什麼(用雜質做出搬運電的粒子的原理)
- 新聞裡的「半導體」,指的是材料、零件還是晶片
前提知識:國中理化(電流、電壓、原子與電子)的程度。不使用公式。
生活中的例子
手機裡有負責計算的零件、記住照片和聯絡人的零件,以及收發電波的零件。這些零件的核心,全都是用半導體做成的。相機中把光轉換成電訊號的零件也是半導體,稱為影像感測器。
在家裡,LED燈泡發光的部分、屋頂上的太陽能電池都是半導體。LED把電變成光,太陽能電池則把光變成電。冷氣和電動車裡,有能快速導通、切斷大電流的零件,負責調整送往馬達的電。這類零件稱為功率半導體。
新聞說「半導體短缺」「半導體工廠」時,「半導體」多半不是指材料本身。它指的是用半導體做成的零件,尤其是在小小的板子上塞滿電路的「晶片」。這些用法的差別,會在後半的「『半導體』一詞的3種意思」中整理。
「半導體」這個名稱的意思
物質可以依導電性,大致分成3類。銅、鋁這類金屬很容易導電,稱為「導體」。玻璃、橡膠、塑膠幾乎不導電,稱為「絕緣體」。半導體則是介於兩者之間的材料。英文的 semiconductor 也是「一半(semi)的導體(conductor)」的意思。
比較不同材料時,會看它們做成相同形狀、相同大小時,電流通過的困難程度。這個值稱為「電阻率」,單位是Ω·cm(歐姆·公分)。數值越小,代表材料越容易導電。銅和玻璃的主要成分二氧化矽(SiO₂)相比,電阻率相差約10的20次方倍(1後面接20個0)。
不過,如果記成「只導一半的電」,就會忽略半導體最重要的一點。如圖所示,純矽其實是相當不容易導電的材料。半導體真正的特點,是導電性可以從外部大幅改變。下一節就來看這一點。
最重要的一點:導電性可以改變
電之所以能流動,是因為帶電的微小粒子在移動。金屬裡原本就有很多能自由移動的電子。在半導體中,這種「搬運電的粒子」的數量,可以在事後增加或減少。
半導體的導電性,可以用下面4種方法改變。換成金屬,不論用哪一種方法,導電性都不太會變。
- 加入雜質:混入極少量的其他元素。這是決定零件性質的方法,也是製造半導體最核心的方法。混入的量非常少,例如每500萬個矽原子只加1個,導電性也會變成數十萬倍。
- 施加電壓:隔著一層薄薄的絕緣膜放上金屬板(電極),再加上電壓。搬運電的粒子會被吸過來,只有膜的正下方變得能夠導電。電晶體這種開關,就是利用這個原理。
- 照光:光的能量會產生搬運電的粒子,讓電更容易流動。相機的影像感測器和太陽能電池,都利用了這個性質。
- 改變溫度:純的半導體溫度越高,越容易導電,和金屬的方向相反。這個性質也用在測量溫度的零件上。
對電子產品來說,特別重要的是前2種。先用雜質做出不同種類、不同數量的搬運電的粒子,再用電壓讓該處的電流導通或切斷。這個組合,就是半導體零件的基本。
為什麼使用矽
能成為半導體的物質有好幾種。即使如此,電腦和手機中負責計算、記憶的晶片,大部分還是用矽做的。理由主要有3個。
1. 原料很多
覆蓋地球表面的岩石層稱為地殼,矽占地殼重量的四分之一以上。它是僅次於氧、含量第2多的元素。沙子和水晶的主要成分,也是矽和氧結合而成的物質。不過,沙子不能直接拿來用,必須經過好幾個階段的精煉。
2. 容易做出能隔開電的優質薄膜
把矽放在氧氣中以高溫加熱,表面就會形成一層漂亮的二氧化矽(SiO₂)膜。這個方法稱為熱氧化。SiO₂幾乎不導電,而且和矽之間的交界缺陷很少。因此,它可以用來當作隔開電的膜,例如電晶體電極下方的薄膜。
其實,第一個電晶體(1947年,美國貝爾實驗室)是用另一種叫作鍺的半導體做的。後來矽成為主角,很大的原因就是能做出這種優質薄膜。此外,矽在溫度升高時也比較不容易漏電。
3. 能做出非常純、尺寸很大的晶體
半導體零件使用的是原子排列整齊的晶體。整塊排列成單一晶體的,稱為「單晶」。矽已經有製造直徑30 cm單晶的成熟技術。把它切成薄薄的圓形板子(晶圓),再在上面做出零件。
原料矽的純度達到99.999999999%的水準。因為有11個9,所以稱為「11個9」(11N)。也就是說,每1000億個原子中,雜質不到1個。把純度提高到這種程度,是為了只加入極少量指定的雜質,來決定材料的性質。如果一開始就混有多餘的東西,就做不出預期的性質。
n型與p型:用雜質做出「搬運電的粒子」
矽原子的最外層有4個電子。在晶體中,它會和相鄰的4個原子互相提供電子,像手牽手一樣結合在一起。所有電子都用在結合上,因此純矽中幾乎沒有能自由移動的電子。這就是純矽不容易導電的原因。
在這裡少量混入最外層有5個電子的磷(P)。磷會進入原本矽的位置,用4個電子形成結合。剩下的1個電子只被輕輕拉住,在室溫下幾乎全部都會脫離,四處移動。像這樣提供電子的雜質,稱為施體(提供者)。
加入施體,讓帶負電的電子負責搬運電,這樣的材料稱為「n型半導體」。n是 negative(負)的第一個字母。電子雖然增加了,磷那一邊也留下等量的正電。因此,整體並不會帶負電。
相反地,如果混入最外層只有3個電子的硼(B),結合就會少1個電子。當相鄰結合的電子移到這個空位,空位就往反方向移動。空位的行為就像帶正電的粒子,因此稱為「電洞」。
像硼這樣接受電子的雜質,稱為受體(接受者)。加入受體,讓電洞負責搬運電的,就是「p型半導體」。p是 positive(正)的第一個字母。
像電子和電洞這樣搬運電的粒子,統稱為「載子」(搬運者)。在n型中,數量較多的載子是電子;在p型中則是電洞。這稱為多數載子。不論哪一型,加入的雜質和矽原子相比都只有極少量。
更進一步:能隙這道「高低差」
到目前為止,我們是用原子相連的圖來思考。物理課本則用電子能量的「階層」來說明同一件事。用這個角度,就能在1張圖上比較導體、半導體和絕緣體的差異。
晶體中的電子所能擁有的能量,只限於幾個固定的範圍(帶)。在半導體和絕緣體中,下方的帶已經被電子塞滿,電子無法直接移動。升到上方帶的電子,以及這時在下方帶留下的空位(電洞),才能搬運電。2個帶之間有一段電子無法擁有的空隙,它的大小稱為能隙。
空隙的大小用eV(電子伏特)這個單位表示。1 eV是1個電子被1伏特的電壓推動時得到的能量。矽的空隙約1.1 eV,絕緣體二氧化矽約9 eV。金屬中,裝有電子的帶上方緊接著就有空位,沒有空隙。
矽的空隙大小,剛好是室溫的熱能可以讓極少數電子越過的程度。溫度上升,越過的電子就增加,所以純的半導體溫度越高越容易導電。照光時變得容易導電,也是因為光的能量讓電子越過了空隙。另一方面,施體的電子只要比空隙小得多的能量,就能移到上方的帶。
所以能做出開關
把p型和n型接在一起,交界處的導電就會有方向性。p型那一側接正極時,電流很容易流動;反過來接,就幾乎不流動。這種只讓電流容易往單一方向流動的性質,稱為「整流作用」。
具有整流作用的零件,就是二極體。插座的交流電,是方向來回變化的電。電子產品使用的直流電,則是方向固定的電。二極體就用在把交流電轉換成直流電的電路等地方。LED也是一種把電轉換成光的二極體。p型和n型的交界發生了什麼事,可以在PN接面的圖解中一邊操作一邊確認。
再進一步,把n型和p型組合起來並裝上電極,就能做出一種零件:依電極上的電壓,讓電流的通路出現或消失。這就是電晶體。它用電壓這個小訊號,切換電流的導通與切斷,是靠電來操作的開關。詳細原理在下一篇文章「電晶體是什麼?」中說明。
開關的導通與切斷,可以代表0和1兩種狀態。把大量電晶體組合起來,就成了能用0和1計算、記憶的電路。像手機CPU這樣負責計算的零件,追根究柢也是這些小開關的集合(「CPU是什麼?」)。
「半導體」一詞的3種意思
「半導體」這個詞依場合不同,會指3種東西。看新聞時,留意說的是哪一種,就比較容易掌握內容。
| 指的是什麼 | 例子 | 常出現的場合 |
|---|---|---|
| 材料 | 矽、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN) | 物理或材料的話題 |
| 零件(單獨1個就能運作) | 二極體、功率半導體 | 電源或馬達的話題 |
| 晶片(積體電路) | CPU、記憶體 | 「半導體短缺」「半導體工廠」 |
第3種的晶片,是在一小片矽上做出大量電晶體和配線的東西。正式名稱是積體電路,英文縮寫為IC。新聞中的「半導體」大多是指這種IC。
像第2種那樣,單獨1個負責1種功能的零件,為了和IC區分,稱為離散式半導體。從家電到汽車,所有產品都少不了半導體。因此在日本,半導體也長期被稱為「產業之米」,意思是像主食的米一樣不可缺少。
常見的誤解
誤解:半導體是「只導一半電」的材料
實際上,它的特點是導電性可以大幅改變。純矽反而是不容易導電的材料。依雜質的量,可以從相當不易導電的狀態,一直變到接近金屬的狀態,相差好幾個位數。「一半的導體」這個名稱,加上「電阻率介於中間」的說明被廣為流傳,才產生了這個誤解。
誤解:「半導體」就是指晶片(IC)
實際上,它可以指材料、零件、晶片3種東西。LED燈泡發光的部分和太陽能電池也是半導體,但它們並不是集合大量電晶體的IC。新聞常把「半導體晶片」簡稱為「半導體」,因此產生了這個誤解。
從數字來看
| 數字 | 代表什麼 |
|---|---|
| 約10的20次方倍 | 銅與二氧化矽電阻率的差距 |
| 數十萬Ω·cm → 約0.5 Ω·cm | 純矽,以及每500萬個原子加入1個磷的矽的電阻率(室溫) |
| 99.999999999% | 半導體用原料矽的純度水準(11個9) |
| 約1.1 eV | 矽的能隙(室溫)。SiO₂約9 eV |
| 四分之一以上 | 地殼重量中矽所占的比例 |
| 300 mm | 量產中使用的最大晶圓直徑 |
| 7,917億美元 | 2025年全球半導體銷售額(美國半導體產業協會SIA,2026年2月發表) |
把2個數字放在一起看。原料矽要把雜質減少到每1000億個原子不到1個。接著,再刻意加入例如每500萬個原子1個的磷。半導體製造,也可以說是管理「把哪種雜質、加多少、放在哪裡」的技術。
進一步學習
- 用表格看差異:導體、半導體、絕緣體的差異 / n型與p型的差異 / 本質半導體與雜質半導體的差異
- 用數字試試看:用電阻率與雜質濃度換算工具,可以計算磷的量改變時,電阻率會如何變化。在能隙與波長換算工具中,可以確認材料和光的顏色之間的關係。