矽晶圓
製造LSI用單晶矽時,最廣泛使用的方法是哪一種?
- A柴可拉斯基法(CZ法)
- B溶膠凝膠法
- C電解精煉法
查看答案與解析
正確答案:A. 柴可拉斯基法(CZ法)
CZ法是在石英坩堝中將矽熔化至約1420 ℃以上,把晶種浸入熔融矽,一邊旋轉一邊以每小時數cm左右的速度緩慢向上拉晶,製成直徑300 mm、長約2 m、重數百kg的單晶晶錠。此法適合大口徑化與量產,LSI用晶圓大部分都是以此法製造。1916年由波蘭的柴可拉斯基(Czochralski)作為金屬晶體的成長方法所發明。
矽晶圓
正確答案:A. 柴可拉斯基法(CZ法)
CZ法是在石英坩堝中將矽熔化至約1420 ℃以上,把晶種浸入熔融矽,一邊旋轉一邊以每小時數cm左右的速度緩慢向上拉晶,製成直徑300 mm、長約2 m、重數百kg的單晶晶錠。此法適合大口徑化與量產,LSI用晶圓大部分都是以此法製造。1916年由波蘭的柴可拉斯基(Czochralski)作為金屬晶體的成長方法所發明。