矽晶圓

製造LSI用單晶矽時,最廣泛使用的方法是哪一種?

  1. A柴可拉斯基法(CZ法)
  2. B溶膠凝膠法
  3. C電解精煉法
查看答案與解析

正確答案:A. 柴可拉斯基法(CZ法)

CZ法是在石英坩堝中將矽熔化至約1420 ℃以上,把晶種浸入熔融矽,一邊旋轉一邊以每小時數cm左右的速度緩慢向上拉晶,製成直徑300 mm、長約2 m、重數百kg的單晶晶錠。此法適合大口徑化與量產,LSI用晶圓大部分都是以此法製造。1916年由波蘭的柴可拉斯基(Czochralski)作為金屬晶體的成長方法所發明。

以CZ法(柴氏長晶法)拉製單晶 邊旋轉邊向上拉 晶種 單晶 矽熔湯 石英坩堝 加熱器
以CZ法(柴氏長晶法)拉製單晶 · 在圖解集中查看
練習這個領域 前往領域頁面

矽晶圓的其他題目

  1. 目前在最先進的邏輯與記憶體量產線上,作為主流的晶圓直徑是哪一種?
  2. 以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶,下列哪一項特徵是正確的?
  3. 設置於矽晶圓外周的缺口(notch,小切口),其主要作用是哪一項?
  4. 下列關於吸附(gettering)的說明,哪一項是正確的?
  5. 以CZ法成長的矽晶體中,從坩堝較多地混入的雜質是哪一種?

這個領域的比較