在CZ法中，對坩堝施加磁場以抑制熔液對流，進而控制氧濃度等的方法是哪一種？

正確答案：B. MCZ法(施加磁場的CZ法)

矽的熔液可導電，所以施加磁場時，流動的熔液會受到反方向的力(勞倫茲力)而抑制對流。在MCZ法中，藉此可以抑制從坩堝溶出的氧進入晶體，也能減少溫度波動而抑制成長條紋，提高晶體的均勻性。熔液多達數百kg的300 mm晶體對流劇烈，因此標準採用橫向磁場的MCZ法。