由晶圓規格上的電阻率求出摻雜濃度，或由濃度求出電阻率。計算涵蓋 n 型（磷、砷）與 p 型（硼），並納入摻雜越多、遷移率越低的效應。
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請輸入正值，並使濃度落在 1e10～1e21 cm⁻³ 的範圍內。
兩軸皆為對數刻度。實線為所選的導電類型，虛線為另一種導電類型。紅點為目前的數值（顯示範圍 10¹³～10¹⁹ cm⁻³）。
假設溫度 300 K、摻雜完全游離，並忽略少數載子的貢獻。遷移率採用 Caughey–Thomas 形式 μ = μmin + (μmax − μmin)/(1 + (N/Nref)^α)，代入教科書常用的代表性擬合值（電子：μmax 1414、μmin 68.5 cm²/V·s、Nref 9.2×10¹⁶ cm⁻³、α 0.711；電洞：470.5、44.9、2.23×10¹⁷、0.719）。未考慮補償（同時含有施體與受體）以及濃度超過 10¹⁹ cm⁻³ 時的不完全游離。
其他輸入維持目前的值，只讓選擇的輸入在目前值的 1/4 到 4 倍之間變化時的結果。紅點是目前的值。
半導體的電導率是載子數量與移動難易度的乘積，可寫成 σ = q(nμn + pμp)。在 n 型中若摻雜完全游離，則 n ≈ ND，且少數載子的貢獻可忽略，因此電阻率為 ρ = 1/(q·ND·μn)。p 型同樣為 ρ = 1/(q·NA·μp)。不過遷移率 μ 本身會隨濃度改變，所以濃度與電阻率並不是單純的反比關係。本工具以 Caughey–Thomas 形式 μ(N) = μmin + (μmax − μmin)/(1 + (N/Nref)^α) 求遷移率；由電阻率求濃度時，則以數值方法對濃度求解此式。
假設為溫度 300 K 的矽，只含一種摻雜物且全部游離，並忽略少數載子的貢獻。適用範圍大約為 10¹³～10¹⁹ cm⁻³。在同時含有施體與受體的補償晶體中，載子數量由淨濃度決定，但遷移率會受到兩者合計濃度的散射影響，因此電阻率會高於本工具的計算值。濃度超過 10¹⁹ cm⁻³ 時，不完全游離與能隙窄化的影響開始顯現，與依實測建立的換算表之間的偏差也會變大。
以預設的 p 型、NA = 10¹⁵ cm⁻³ 為例，電洞遷移率約為 462 cm²/V·s，ρ = 1/(1.602×10⁻¹⁹ × 10¹⁵ × 462) ≈ 13.5 Ω·cm。相同濃度的 n 型，電子遷移率約為 1362 cm²/V·s，大約是電洞的 3 倍，因此 ρ ≈ 4.58 Ω·cm。反過來，規格為「p 型 10 Ω·cm」的晶圓約為 1.36×10¹⁵ cm⁻³，「n 型 1 Ω·cm」約為 4.9×10¹⁵ cm⁻³。若將濃度提高 100 倍至 10¹⁷ cm⁻³，p 型電阻率約為 0.197 Ω·cm，並不會降到百分之一的 0.135 Ω·cm，這是因為摻雜物造成的庫侖散射使遷移率降至約 317 cm²/V·s。
遷移率公式的係數是配合矽遷移率實測值的代表性擬合值，廣泛用於半導體元件的教科書與解說。基本電荷為 q = 1.602×10⁻¹⁹ C。實際晶圓一般以四點探針法等方法量測電阻率，再依 SEMI MF723（舊稱 ASTM F723）等換算標準轉換為濃度。請將本工具的結果作為參考值，需要精確數值時，請以換算標準或實測確認。
正確答案：B. 約0.6 Ω·cm
電導率為 σ = qnμ = 1.6×10⁻¹⁹ × 1×10¹⁶ × 1000 = 1.6 S/cm，電阻率為其倒數 ρ ≈ 0.63 Ω·cm。「ρ ≈ 1/(qnμ)」是由晶圓電阻率估算摻雜濃度的基本式。實務上會使用包含遷移率濃度相依性的換算表（ASTM規格等），例如1～10 Ω·cm的p型晶圓相當於硼約10¹⁵～10¹⁶ cm⁻³。
正確答案：C. 雜質濃度越高，電阻率越低
摻入越多雜質，載子就越多，電阻率因而降低；基於這樣的關係，晶圓的電阻率會作為雜質濃度的參考而指定於規格中。例如p型1〜10 Ω·cm時，硼約為10¹⁵〜10¹⁶ cm⁻³，0.01 Ω·cm時約為10¹⁹ cm⁻³。濃度變高時，遷移率會因離子化雜質散射而下降，所以並非單純的反比關係，需使用ASTM等的換算表來轉換。
正確答案：C. 利用渦電流的量測
施加交流磁場時，晶圓內會產生渦電流，其大小會隨導電率(片電阻)而改變。以線圈偵測它，就能在不接觸晶圓的情況下量測電阻率。與以探針接觸的四探針法不同，這種方法不會損傷表面，也沒有汙染，因此用於晶圓的進料檢驗，以及金屬膜厚度的量測(由片電阻換算)等。還能進行映射(mapping)，評估晶圓面內的分布。
因為在矽中，電子遷移率約為電洞的 3 倍。低濃度時電子約為 1400 cm²/V·s、電洞約為 470 cm²/V·s，所以相同濃度下，n 型的電阻率約為 p 型的三分之一。
在 10¹⁵ cm⁻³ 以下的低濃度，遷移率幾乎固定，大約降為十分之一即可。高濃度時，降低濃度會使遷移率上升，電阻率的增加因而變緩，所以濃度必須降得比十分之一更多。請在圖表上確認斜率的變化。
可以作為參考。但若有施體與受體同時存在的補償，或 CZ 矽在 450 °C 附近熱處理時產生的熱施體，電阻率與濃度的關係就會改變。精確數值請以換算標準或 SIMS 等濃度量測確認。
