在CZ法中，控制晶體拉晶速度與晶體內溫度梯度之比(V/G)，主要目的是哪一項？

正確答案：A. 控制進入晶體的點缺陷(空位或間隙矽)的種類與量，以減少晶體缺陷

由拉晶速度V與界面附近溫度梯度G之比，決定過剩進入晶體的點缺陷是空位還是間隙矽。V/G大時，剩餘的空位聚集成微小空洞(COP)；V/G小時，剩餘的間隙矽則形成差排環。若在兩者恰好平衡的狹窄條件下拉晶，就能得到幾乎沒有任一種缺陷的晶體(完美晶體，perfect silicon)。