矽晶圓
高濃度摻入砷或銻的低電阻n⁺矽晶圓，其主要用途下列哪一項是正確的？
- A影像感測器的受光層本身
- B太陽能電池的抗反射膜
- C作為成長低濃度磊晶層的基板，或垂直型功率元件汲極側的基板
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正確答案：C. 作為成長低濃度磊晶層的基板，或垂直型功率元件汲極側的基板
高濃度、低電阻(0.001〜0.01 Ω·cm左右)的n⁺晶圓，被用作在其上成長低濃度磊晶層的磊晶晶圓之基板。在垂直型功率MOSFET與二極體中，電流是在基板中縱向流動，所以降低基板電阻就能降低導通電阻。依偏析與蒸發的性質，砷、銻、磷各有其適用處，抑制往磊晶層的滲出(自摻雜，autodoping)是課題。
- A. 受光層使用的是低濃度的層。
- B. 抗反射膜是氮化膜等，並不是基板的作用。
- C. 正確。用於磊晶晶圓的基板與垂直型功率元件的基板。