什麼是氧析出物(BMD)

CZ矽中所含的氧經熱處理後，在晶圓內部析出而形成的微小缺陷。也稱為BMD，可作為捕捉金屬雜質的吸附雜質（Gettering）位置。

日文名稱: 酸素析出物(BMD)

「氧析出物(BMD)」出現在2領域的4道練習題中（矽晶圓, 氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: 矽晶圓

練習氧析出物(BMD)的題目

利用CZ晶圓內部氧析出所形成的微小缺陷(BMD)，其目的下列哪一項是正確的？

  1. A作為捕捉金屬雜質的吸附位置
  2. B使晶圓發光
  3. C降低晶圓的強度
查看答案與解析

正確答案：A. 作為捕捉金屬雜質的吸附位置

CZ晶圓所含的氧，會因熱處理而在晶圓內部形成析出物(BMD：Bulk Micro Defect)。析出物及其周圍的應變與差排會捕捉金屬雜質，所以被用於本質吸附(intrinsic gettering)，使金屬汙染遠離表面的元件區域。BMD的密度控制在10⁸〜10¹⁰ cm⁻³左右。不過若靠近表面會造成漏電，所以表面會保留無缺陷層。

解析中的「氧析出物(BMD)」

出現「氧析出物(BMD)」的題目（4題）

  1. 利用CZ晶圓內部氧析出所形成的微小缺陷(BMD)，其目的下列哪一項是正確的？
  2. 下列關於吸附(gettering)的說明，哪一項是正確的？
  3. 對晶圓進行熱處理，使表面附近的氧向外擴散，在要製作元件的表面形成缺陷少的層。這一層稱為什麼？
  4. 熱氧化時，因氧化而產生的過量間隙矽被注入矽中而成長的缺陷是哪一個？

相關名詞

吸附雜質技術(Gettering) DZ(無缺陷區) 退火 RTP(快速熱處理) 熱氧化 疊差 西門子法 偏析係數 晶格滑移 晶棒

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