矽晶圓
SiC晶圓製造困難又昂貴的原因之一，下列哪一項是正確的？
- A因為用CZ法可以非常快速地成長晶體
- B因為原料比矽更豐富
- C因為在常壓下不會熔化，必須以昇華法等在高溫下成長晶體，成長緩慢且容易產生缺陷
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正確答案：C. 因為在常壓下不會熔化，必須以昇華法等在高溫下成長晶體，成長緩慢且容易產生缺陷
SiC在常壓下不會熔化，而是在約2700 ℃昇華，因此無法像矽那樣從熔液中拉晶。它採用昇華法(改良型Lely法)成長：在2000〜2500 ℃使原料粉末昇華，再於溫度稍低的晶種上再結晶，所以成長速度為每小時0.1〜1 mm左右，不到矽的百分之一，也容易產生差排等缺陷。此外它非常堅硬，切割與拋光也很費時。