矽晶圓
對FZ矽照射中子,把部分矽轉變成磷而得到均勻n型的方法是哪一種?
- A中子照射摻雜(NTD)
- B離子佈植
- C熱擴散
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正確答案:A. 中子照射摻雜(NTD)
當中子照射矽時,約占3%的同位素Si-30會吸收中子變成Si-31,以約2.6小時的半衰期進行β衰變,變成磷(P-31)。由於中子能均勻地到達整個晶體,因此可得到一般有偏析的摻雜無法達到、電阻率變異在數%以下的非常均勻的n型晶圓。因為要使用核反應爐,供應量有限,用於高耐壓的功率元件(閘流體或IGBT)。
矽晶圓
正確答案:A. 中子照射摻雜(NTD)
當中子照射矽時,約占3%的同位素Si-30會吸收中子變成Si-31,以約2.6小時的半衰期進行β衰變,變成磷(P-31)。由於中子能均勻地到達整個晶體,因此可得到一般有偏析的摻雜無法達到、電阻率變異在數%以下的非常均勻的n型晶圓。因為要使用核反應爐,供應量有限,用於高耐壓的功率元件(閘流體或IGBT)。