什麼是偏析係數

晶體自熔融液凝固時,晶體中與熔融液中雜質濃度的比值。多數雜質的此值小於1,因而在熔融液中濃縮,使CZ晶體越到後段雜質濃度越高。

日文名稱: 偏析係数

「偏析係數」出現在2領域的2道練習題中(矽晶圓, 氧化與擴散等)。

這個名詞所屬的領域: 矽晶圓

練習偏析係數的題目

將含硼的矽熱氧化時,介面附近矽側的硼濃度會有何傾向?

  1. A因硼容易被氧化層吸收,濃度降低
  2. B因硼被推擠至介面,濃度升高
  3. C不變
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正確答案:A. 因硼容易被氧化層吸收,濃度降低

雜質在矽與 SiO2 的邊界上,兩側的濃度比(偏析係數 m = 矽中濃度/SiO2 中濃度)是固定的。硼的 m ≈ 0.3,容易被吸收到氧化層中,因此矽側表面附近的濃度會下降(pile-down)。磷與砷的 m ≈ 10,不易進入氧化層,而被推擠到矽側,使介面附近的濃度上升(pile-up)。在臨界電壓與通道濃度的設計中必須考慮這一點。

解析中的「偏析係數」

出現「偏析係數」的題目(2題)

  1. 以CZ法製造p型矽晶體時,添加到熔液中的代表性雜質是哪一種?
  2. 將含硼的矽熱氧化時,介面附近矽側的硼濃度會有何傾向?

相關名詞

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