矽晶圓

在CZ法拉晶開始時,緊接晶種之後先收細成長(頸縮,necking),其目的是哪一項?

  1. A為了節省晶種
  2. B為了提高氧濃度
  3. C為了把晶種接觸熔液時因熱衝擊而產生的差排排出晶體外,得到無差排的晶體
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正確答案:C. 為了把晶種接觸熔液時因熱衝擊而產生的差排排出晶體外,得到無差排的晶體

晶種接觸高溫熔液時,會因熱衝擊而產生差排。若將直徑收細到3〜5 mm左右成長,差排會因相對於成長方向傾斜延伸的性質而往晶體表面排出,之後就能成長出粗大的無差排單晶(Dash法,1958年)。300 mm、重達數百kg的晶錠,也是靠這段細頸部支撐著拉起來的。

  • A. 目的不是節省晶種。
  • B. 這不是調整氧濃度的方法。
  • C. 正確。排出差排,得到無差排的晶體。
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