對晶圓進行熱處理，使表面附近的氧向外擴散，在要製作元件的表面形成缺陷少的層。這一層稱為什麼？

正確答案：B. DZ(無缺陷層)

以1100 ℃以上的高溫進行熱處理，使表面附近的氧向外擴散，表面就會形成數十µm沒有氧析出物的無缺陷層(DZ：Denuded Zone)。之後若以低溫、中溫熱處理在內部形成析出物，就成為吸附層。這是元件製作在無缺陷的表面，而金屬汙染在內部被捕捉的結構。近年也使用在氫或氬氣中退火，或以快速熱處理做出這種結構的晶圓。