什麼是吸附雜質技術(Gettering)

將晶圓內的金屬雜質聚集並捕捉在遠離製作元件之表面的位置的技術。利用氧析出物等達成。

日文名稱: ゲッタリング

「吸附雜質技術(Gettering)」出現在1領域的2道練習題中（矽晶圓等）。

這個名詞所屬的領域: 矽晶圓

練習吸附雜質技術(Gettering)的題目

下列關於吸附(gettering)的說明，哪一項是正確的？

  1. A將晶圓削薄的加工
  2. B將有害的金屬雜質捕捉到遠離元件形成區域之處的技術
  3. C將多片晶圓貼合的技術
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正確答案：B. 將有害的金屬雜質捕捉到遠離元件形成區域之處的技術

吸附(gettering)是把會劣化元件特性的鐵、銅、鎳等金屬雜質，聚集並捕捉到遠離表面元件區域的晶圓內部或背面的缺陷等處的技術。金屬會造成漏電流增加與氧化膜劣化，即使只有10¹⁰ atoms/cm²左右的微量汙染也會成為問題。吸附有兩種：利用晶圓內部氧析出物的本質吸附(intrinsic gettering)，以及在背面設置加工應變或多晶膜的非本質吸附(extrinsic gettering)。

解析中的「吸附雜質技術(Gettering)」

出現「吸附雜質技術(Gettering)」的題目（2題）

  1. 下列關於吸附(gettering)的說明，哪一項是正確的？
  2. 利用CZ晶圓內部氧析出所形成的微小缺陷(BMD)，其目的下列哪一項是正確的？

相關名詞

氧析出物(BMD) 西門子法 偏析係數 晶格滑移 晶棒 晶圓缺口(Notch) 晶體方向 監控晶圓 熱施體 頸縮(Necking)

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