將CZ矽在450℃附近熱處理時，氧原子會聚集並作為施體作用，使晶圓的電阻率改變。這稱為什麼？

正確答案：B. 熱施體

將含有間隙氧的CZ矽在350〜500 ℃進行熱處理，會形成由數個氧原子聚集而成的集合體，作為釋放電子的施體發揮作用(熱施體，thermal donor)。它在450 ℃附近形成最快，最多可達10¹⁶ cm⁻³左右，所以特別是低濃度的p型晶圓，電阻率會大幅改變，甚至反轉成n型。可以用650 ℃左右以上的短時間熱處理消除，在晶圓出貨時就會處理。

• A. 吸附位置是指捕捉雜質的地方。
• B. 正確。氧的集合體作為施體發揮作用的現象。
• C. 它是作為施體而不是受體發揮作用。