量測與分析
以三選一題型確認SEM、TEM、橢圓偏光術、SIMS、四點探針法等半導體量測與分析技術的基本觀念。
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量測與分析的重點
半導體製造過程中，會量測線寬、膜厚、雜質濃度、缺陷等，一邊確認製程是否正確進行一邊推進。微縮越先進，就越需要奈米等級的精確量測。
依目的不同而使用不同的方法，例如以電子顯微鏡（SEM、TEM）觀察形狀、以光學方式量測膜厚（橢圓偏光術）、以二次離子質譜術（SIMS）量測雜質分布，以及以四點探針法量測片電阻。