計測・分析
SEM・TEM、エリプソメトリ、SIMS、4探針法など、半導体の計測・分析技術の基本を3択問題で確認できます。
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計測・分析の要点
半導体の製造では、線幅・膜厚・不純物濃度・欠陥などを測り、工程が正しく行われているかを確認しながら進めます。微細化が進むほど、ナノメートル単位の正確な計測が必要になります。
電子顕微鏡(SEM・TEM)による形状観察、光を使った膜厚測定(エリプソメトリ)、二次イオン質量分析(SIMS)による不純物分布の測定、4探針法によるシート抵抗の測定など、目的に応じて手法を使い分けます。
計測・分析の問題一覧（50問）
- 走査電子顕微鏡(SEM)の原理として正しいものはどれか。
- エリプソメトリ(分光エリプソメトリ)で主に測定するものはどれか。
- SIMS(二次イオン質量分析法)の説明として正しいものはどれか。
- 4探針法で主に測定するものはどれか。
- 透過電子顕微鏡(TEM)で試料を観察するために必要な前処理として正しいものはどれか。
- ウエハ上の異物やパターン欠陥を検出する欠陥検査装置で使われる代表的な原理はどれか。
- 原子間力顕微鏡(AFM)で主に測定するものはどれか。
- SEMやTEMと組み合わせて使われるEDX(エネルギー分散型X線分光)で分かることはどれか。
- ウエハ表面の微量な金属汚染の分析によく使われる方法はどれか。
- MOSキャパシタのC-V(容量-電圧)測定から評価できるものとして正しいものはどれか。
- 周期的なパターンに光を当て、反射・回折光のスペクトルをモデルと比較して、線幅や断面形状を求める計測を何と呼ぶか。
- X線回折(XRD)で主に評価できるものはどれか。
- 集束イオンビーム(FIB)装置の主な用途はどれか。
- X線を照射して放出される光電子のエネルギーから、表面の元素と化学結合状態を調べる分析法はどれか。
- LSIの故障箇所を特定するために、動作中の不良箇所から出るわずかな光を検出する解析手法はどれか。
- CD-SEMでArFレジストのパターンを測定するとき、電子線の照射によってパターンが縮んでしまう現象を何と呼ぶか。
- 重ね合わせ(オーバーレイ)のずれを計測するために、ウエハ上に設けるものはどれか。
- X線を非常に浅い角度で入射させ、反射率の振動から薄膜の厚さや密度を求める手法はどれか。
- ウエハの反り(ボウ・ワープ)や平坦度の測定に使われる方法として正しいものはどれか。
- 計測器の繰り返し性や再現性が、管理したい工程のばらつきに対して十分小さいかを評価する手法はどれか。
- 光学顕微鏡で、数十nmの微細なパターンを直接観察できない主な理由はどれか。
- 成膜前後のウエハの反りの変化から、膜の応力を求めるときに使われる関係式はどれか。
- SIMSが不純物の原子の濃度を測るのに対して、電気的に活性なキャリアの濃度の深さ方向分布を測る方法として正しいものはどれか。
- 製造ラインの中で、製品のウエハを工程の途中で計測して工程を監視する計測を何と呼ぶか。
- 電子線を当てたときの帯電の違いによる明るさの差を利用して、コンタクトの導通不良などを検出する検査はどれか。
- SEMで絶縁物の試料を観察するときに、帯電(チャージアップ)を防ぐための方法として正しいものはどれか。
- 深い穴の形状などを、断面を壊さずに3次元的に測る技術として研究・導入が進められているものはどれか。
- シリコン中の格子間酸素の濃度の測定に使われる方法はどれか。
- ウエハのキャリアのライフタイムを非接触で測定し、金属汚染などを評価する方法はどれか。
- 検査で見つかった欠陥をSEMで撮影し、その画像から欠陥の種類を自動で分類する機能はどれか。
- 半導体の製造ラインでの「計測」と「検査」の一般的な違いとして正しいものはどれか。
- 製造ラインで工程の途中に計測や検査を行う主な目的はどれか。
- 製造ラインの計測で、すべてのウエハやすべての点を測るのではなく、一部を選んで測ることが多い主な理由はどれか。
- 断面の形をくわしく調べるために、ウエハを割ったり削ったりしてから観察する方法の特徴として正しいものはどれか。
- 計測器の性能で、「同じものを何度測っても値のばらつきが小さいこと」と「測った値が真の値に近いこと」の呼び方の組み合わせとして正しいものはどれか。
- シリコンに加わっている応力(ひずみ)を、局所的に非破壊で評価するのによく使われる分光法はどれか。
- パッケージの内部のはんだ接合のボイドや、ワイヤの形などを、パッケージを壊さずに立体的に観察するのに使われる方法はどれか。
- パッケージの内部の封止樹脂とチップなどの境界のはく離(デラミネーション)を、非破壊で見つけるのに広く使われる装置はどれか。
- 化合物半導体のウエハやエピ層の品質を非接触で評価するため、レーザー光を当てて出てくる発光のスペクトルや強度の分布を測る方法はどれか。
- ウエハの欠陥検査装置で、パターンの像を直接見る明視野方式と比べた、散乱光だけを捉える暗視野方式の特徴として正しいものはどれか。
- 細い針で試料の表面をなぞり、針の上下の動きから段差の高さや表面の形を測る装置はどれか。
- 装置のセンサのデータなどから、実際に測っていないウエハの膜厚や寸法を統計モデルで予測する手法を何と呼ぶか。
- AFMで、非常に細い溝や急な側壁の形を測るときに誤差の原因になりやすいことはどれか。
- TEMで、細く絞った電子線を走査しながら、透過した電子のエネルギーの損失を測って元素や化学状態の分布を調べる手法はどれか。
- 針状に加工した試料の先端から原子を1個ずつ電界で蒸発させ、その位置と種類を検出して、ドーパントなどの3次元の原子の分布を調べる分析法はどれか。
- 電極をつくらずに、ウエハの表面にコロナ放電で電荷を載せ、表面電位の変化を測って酸化膜や界面の電気的な特性を評価する方法はどれか。
- 動作させたチップの微小な発熱を、加える電力を周期的に変えて同期した熱画像を積算することで高感度に検出し、故障箇所を特定する手法はどれか。
- パッケージや基板の配線に高速のパルスを送り、反射してくる波形から断線やショートの位置を求める方法はどれか。
- 光を使う欠陥検査で、異物が小さくなるほど検出が急に難しくなる理由として正しいものはどれか。
- 複数の異なる計測手法(光学式・CD-SEM・AFMなど)のデータを組み合わせて、一つの手法だけより正確に寸法や形状を求める考え方を何と呼ぶか。