量測與分析

週期性地改變所施加的電力,將與之同步的熱影像累加,藉此高靈敏度偵測運作中晶片的微小發熱,以找出故障位置的手法是下列何者?

  1. A鎖相熱成像術(lock-in thermography)
  2. B橢圓偏振術
  3. CSIMS
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正確答案:A. 鎖相熱成像術(lock-in thermography)

鎖相熱成像術是以固定週期開關施加於晶片的電壓,只累加與該週期同步的紅外線熱影像,偵測短路等所造成µW等級的微弱發熱位置。與週期無關的雜訊會因累加而抵消,因此靈敏度比一般熱影像高出數個數量級。由於即使從封裝外部也能縮小位置範圍,用於故障分析的初期。

  • A. 正確。以與週期同步的熱影像偵測微小發熱。
  • B. 橢圓偏振術是量測膜厚的方法。
  • C. SIMS是調查元素深度方向分布的方法。
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