量測與分析 X光繞射（XRD）主要可評估下列何者？ A表面的有機物污垢 B片電阻 C晶體結構、晶格常數與膜的應變 查看答案與解析 正確答案：C. 晶體結構、晶格常數與膜的應變 XRD是根據X光在晶體原子面上繞射的布拉格條件 2d·sinθ=nλ，調查晶體結構與晶格面間距的方法。在高解析度XRD中，可由SiGe等磊晶膜繞射峰的位置評估組成與應變，由峰的寬度評估晶體的完整性。對於多晶膜，也能得知晶體方向的整齊程度。有機物污垢與片電阻則無法量測。